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IXTH180N10T
IXTQ180N10T
225
Fig. 7. Input Admittance
150
Fig. 8. Transconductance
200
175
150
125
135
120
105
90
75
T J = - 40oC
25oC
150oC
100
60
75
50
25
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
45
30
15
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
250
225
200
175
150
125
100
9
8
7
6
5
4
V DS = 50V
I D = 25A
I G = 10mA
75
50
25
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
f = 1 MHz
Ciss
1,000
100
C oss
C rss
0.10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Second
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